光學(xué)鍍膜鏡片在高真空度的鍍膜腔中實(shí)現(xiàn)。常規(guī)鍍膜工藝要求升高基底溫度(通常約為300℃);而較先進(jìn)的技術(shù)，如離子輔助沉積(IAD)可在室溫下進(jìn)行。IAD工藝不但生產(chǎn)比常規(guī)鍍膜工藝具有更好物理特性的薄膜，而且可以應(yīng)用于塑料制成的基底。圖19.11展示一個(gè)操作者正在光學(xué)鍍膜機(jī)前。抽真空主系統(tǒng)由兩個(gè)低溫泵組成。電子束蒸發(fā)、IAD沉積、光控、加熱器控制、抽真空控制和自動(dòng)過(guò)程控制的控制模塊都在鍍膜機(jī)的前面板上。圖19.12示出裝配在高真空鍍膜機(jī)基板上的硬件布局。兩個(gè)電子槍源位于基板兩邊，周圍是環(huán)形罩并被擋板覆蓋。離子源位于中間，光控窗口在離子源的前方。圖19.13示出真空室的頂部，真空室里有含6個(gè)圓形夾具的行星系統(tǒng)。夾具用于放置被鍍膜的光學(xué)元件。使用行星系統(tǒng)是保證被蒸發(fā)材料在夾具區(qū)域內(nèi)均勻分布的選擇方法。夾具繞公共軸旋轉(zhuǎn)，同時(shí)繞其自身軸旋轉(zhuǎn)。光控和晶控處于行星驅(qū)動(dòng)機(jī)械裝置的中部，驅(qū)動(dòng)軸遮擋晶控。背面的大開(kāi)口通向附加的高真空泵。基底加熱系統(tǒng)由4個(gè)石英燈組成，真空室的兩邊各兩個(gè)。

薄膜沉積的傳統(tǒng)方法一直是熱蒸發(fā)，或采用電阻加熱蒸發(fā)源或采用電子束蒸發(fā)源。薄膜特性主要決定于沉積原子的能量，傳統(tǒng)蒸發(fā)中原子的能量?jī)H約0.1eV。IAD沉積導(dǎo)致電離化蒸汽的直接沉積并且給正在生長(zhǎng)的膜增加活化能，通常為50eV量級(jí)。離子源將束流從離子槍指向基底表面和正在生長(zhǎng)的薄膜來(lái)改善傳統(tǒng)電子束蒸發(fā)的薄膜特性。